DNK大日本科研在曝光过程中，通过移动掩膜来控制光刻胶表面的曝光能量分布。能够制作有任意曲面及倾斜的三维微细构造体。

主要特长

• 采用独自的镜面・镜头光学系统,实现**均匀的照射。
• 配备有可设定非接触・面内均一间隙的间隙传感器和对应多层曝光的显微镜、X・Y・θ轴对位台的对位系统。
• 采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微细移动)能够控制厚膜光刻胶的侧壁倾斜角度,形成三维微细构造体。

 Moving UV mask法

光刻胶膜厚50μm时的图形例

L/S=50μm
掩膜移动量=20μm

Dot=Φ50μm
掩膜移动量=Φ25μm

主要规格

		MUM系列
掩膜尺寸		Max 9″ x 9″ x t3.0 mm
基板尺寸		Max Φ8″(Wafer)
光源		超高压水银灯：500W or 1kW
外观尺寸及重量	本体尺寸	W2120 x D1305 x H1850 mm
	本体重量	640kg

※基板尺寸和水银灯瓦数及特殊规格可商洽