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Otsuka大塚膜厚测试仪半导体
产品型号:实时检测晶圆(WAFER)OPTM
产品品牌:Otsuka大塚
产品介绍:

日本Otsuka大塚集团成立于1921年,总部位于日本,目前在全球拥有超过150家子公司,员工总数超3万人,年销售额约770亿元人民币(2010年数据)。其业务范围包括医药、医疗器械、食品、电子设备等,并通过全球化布局覆盖多个市场。

详细介绍

日本Otsuka大塚集团成立于1921年,总部位于日本,目前在全球拥有超过150家子公司,员工总数超3万人,年销售额约770亿元人民币(2010年数据)。其业务范围包括医药、医疗器械、食品、电子设备等,并通过全球化布局覆盖多个市场即时检测 WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于减薄制程中的厚度变化 (强酸环境中) 产品特色 非接触式、非破坏性光学式膜厚检测 采用分光干涉法实现高度检测再现

即时检测:能够实时检测晶圆(WAFER)基板在研磨过程中的膜厚,以及玻璃基板在强酸环境中减薄过程中的厚度变化。 非接触式、非破坏性:利用光学式方法进行膜厚检测,无需接触样品,不会对样品造成破坏。

  • 分光干涉法:采用分光干涉法实现高精度的检测再现性。
  • 高速检测:能够进行高速的即时研磨检测。
  • 多层检测:可以穿越保护膜、观景窗等中间层进行检测。
  • 适应性强:可以对应长工作距离,容易安装在产线或设备中。
  • 体积小:节省空间,设备安装简易。
  • 线上检测:可以对应线上检测的外部信号触发需求。
  • 算法:采用适合膜厚检测的独自解析演算法(已取得)。
  • 膜厚分布制图:可以自动进行膜厚分布制图(选配项目)。

规格样式

  • 膜厚测量范围:0.1 μm ~ 1600μm(根据不同光谱仪种类,厚度测量范围可能不同)。
  • 膜厚精度:±0.1% 以下。
  • 重复精度:0.001% 以下。
  • 测量时间:10毫秒以下。
  • 测量光源:半导体光源。
  • 测量口径:φ27μm(*小可达φ6μm)。
  • 工作距离(WD):3 mm ~ 200 mm。