OTSUKA大塚电子晶圆非破坏性测厚仪MCPD-6800(2285C) 膜厚测量范围65nm~92μm(换算为SiO2)
● *短曝光时间1ms~※根据规格
● 由于是柔性纤维光学系统,容易组装到半导体工艺装置中
● 可从上层远程控制
● *适合于研磨中膜厚终点检测
基本配置
装置组装示意图
测量案例
适应过程示例
CMP工艺
蚀刻工艺
成膜工艺
等等