一、产品定义

标准订货型号示例：KD4TS‑VEC‑EP‑316L

二、工作原理（核心区别普通 KD-C）

1. **路驱动信号：隔膜抬升到手动预设限位位置 → 小流量流通（预充 / 缓慢进气）

2. **路驱动信号：隔膜继续抬升到*大行程 → 全开（大流量供气）

   顶部调节旋钮可锁定**段开度，出厂 / 现场可调，设定后流量重复稳定性高；采用隔膜节流，无针阀，产尘极低，满足高纯特气要求。

三、基础规格参数（同 KD 系列压力边界）

1. 可用口径

• KD2T：1/8"

• KD4T：1/4"（常用）

• KD8T：1/2"

⚠️ KD12（3/4"）无 KD‑T 两段版本

2. 压力、温度

• *高工作压力：0.98 MPa(G)（142 psig）

• 流体温度：

• PCTFE 阀座：−10～80℃

• PFA/PI 阀座：−10～120℃

• 驱动气源：0.4～0.6 MPa 高纯 N₂/ 干燥洁净空气

• 标准配置：NC 常闭；可选 NO 常开

3. 介质接触材质

• 阀体：SUS316L / SUS316LE

• 隔膜：Elgiloy 钴基合金

• 阀座标配：PCTFE；可选 PFA、PI

4. 内腔抛光等级（选型重点）

• STD：机械抛光 Ra≤0.5 μm

• EP：电解抛光 Ra≤0.13 μm（半导体通用）

• SEP：超电解抛光 SUS316LE（超高纯特气）

5. 泄漏标准（氦检）

• 阀座内漏 ≤1×10⁻¹⁰ Pa・m³/s

• 外部泄漏 ≤1×10⁻¹² Pa・m³/s

四、型号编码拆解

1. KD：基础系列

2. 4：尺寸 (2=1/8,4=1/4,8=1/2)

3. T：Two‑Step 两段流量机构

4. S：直通二通（B = 三通分支，KD‑T 极少三通）

5. VEC / VFC：接口

• VEC = M‑CVC 外螺纹 CVC

• VFC = F‑CVC 内螺纹 CVC

6. EP/SEP/STD：抛光等级

7. 316L /316LE：阀体材质

五、核心优势

1. 单阀替代「切断阀 + 旁路针阀」方案，省去旁通管路，缩小 GasBox 阀盘空间；

2. 隔膜节流方式，对比金属针阀微粒产生更少、脱气更低；

3. **段流量机械定位，断电 / 失气设定值不会漂移，工艺重复性好；

4. 兼容 KD 标准管路接口，可直接替换同口径 KD‑C 普通隔膜阀；

5. 低死体积，置换速度快，适合微量工艺气体控制。

六、典型应用场景

• ALD、CVD、刻蚀腔体缓慢预充、压力缓升，防止气流冲击晶圆

• 特种腐蚀性特气供气，避免瞬间大流量造成气流扰动

• 真空腔体泄压、吹扫回路两段式流量控制

• 半导体设备气柜、工艺模块气体分配单元