一、产品基础信息

• 主控管：硅基 Si IGBT 芯片（导通器件，保留硅器件**的短路耐量）

• 续流二极管：SiC 肖特基二极管（SiC-SBD）

• 无反向恢复电流，仅对续流回路做碳化硅升级，属于性价比折中方案，区别于 FMF 全 SiC（SiC MOS+SiC 二极管。

产品定位

二、核心技术特点

1. 消除二极管反向恢复损耗

   续流端换成 SiC 肖特基管，不存在硅快恢复二极管的反向恢复尖峰，开关总损耗相比纯硅 IGBT 模块降低约 40%，温升下降 20~30℃。

2. 保留 IGBT 优异抗短路能力

   主开关依旧为硅 IGBT，短路耐受时间≥10μs，远优于纯 SiC MOS，外部驱动保护更容易实现，炸管风险极低，设备稳定性更高。

3. 工作频率大幅提升

   载波频率可由 15kHz 提升至 20~30kHz，缩小电抗器、变压器体积，实现设备小型化。

4. 封装兼容传统硅模块

   CMH 系列封装尺寸、引脚定义和 CM 硅 IGBT 模块一致，无缝替代，快速完成设备节能升级。

5. 寄生电感优化

   NX 低电感塑封结构，抑制开关电压尖峰，EMI 整改难度低。

6. 成本均衡

   成本远低于全 SiC FMF 模块，仅比普通硅 IGBT 小幅上浮，是光伏、储能设备性价比优选方案。

7. 耐高温设计

   *高工作结温 Tj=150℃，长期连续满载运行稳定。

三、主流型号清单（1200V 工业标准款，2in1 半桥拓扑）

四、关键电气参数（CMH400DU-24NFH 为例）

• 额定耐压：Vces=1200V

• 集电极电流：Ic=400A

• *高结温：Tj=150℃

• 短路耐量：tSC＞10μs（硅 IGBT 先天优势）

• 续流器件：SiC 肖特基二极管，无反向恢复

• 推荐驱动电压：+15V/-5V

• 封装：标准塑封模块，引脚兼容 CM 硅系列

五、三种功率模块横向对比

六、可选配套配件

1. 通用 IGBT 栅极驱动板，无需专用 SiC 驱动，开发简单

2. 风冷基板，大功率机型可选针翅水冷基板

3. RC 吸收回路，抑制开关尖峰

4. 同封装直换型号：CM 硅模块、FMF 全 SiC 模块

七、行业应用场景

1. 组串式光伏逆变器、工商业储能 PCS（核心市场）

   兼顾高效率与低成本，二极管无反向恢复，降低发热，提升整机能效，是量产机型主流升级方案。

2. 大功率 UPS、中频开关电源

   提升开关频率，减小磁性元器件体积，控制硬件开发成本。

3. 工业变频器、伺服驱动器

   改善 EMI，降低开关噪音，适合风机、水泵节能改造项目。

4. 充电桩直流变换单元

   中等频率工况，平衡效率与器件可靠性。

5. 半导体设备中频电源

   兼顾稳定性与低损耗，性价比优于全 SiC 方案。