Toyo Tanso东洋炭素 高密度精细颗粒等静压
Toyo Tanso东洋炭素 高密度精细颗粒等静压
一、产品定位与核心工艺区分
ISEM 系列是东洋炭素细 / 超细颗粒高密度各向同性等静压石墨，专为半导体设备、光学模具、超精密治具、镜面 EDM、微型型腔开发，定位高于通用 IG 系列、低于超精密 ISO 系列；采用超细石油焦原料 + 多次沥青浸渍 + 高温石墨化工艺，颗粒均匀、孔隙极低、强度高、放电纹路细腻、高温低放气、杂质可控，是精密电子与光学行业进口石墨主流选材。
ISEM 系列核心通用优势（全型号共有）
超细均匀颗粒，镜面加工能力强
颗粒 1~10μm 区间分级，无粗大骨料，EDM 精加工可达 VDI 8~25 镜面纹路，微小薄壁、细筋、微孔不易崩角、掉渣。
高密度高机械强度，精密治具不变形
多次浸渍提升致密度，抗压 / 抗折远优于 IG 通用料，超薄石墨载具、隔热栅、微型电极长期冷热循环尺寸稳定。
各向同性三维性能一致
X/Y/Z 热胀、导电、强度无差异，半导体腔体、光学模具无方向性放电损耗、温场均匀。
低杂质、低真空放气，适配半导体洁净工况
基础款灰分＜50ppm，提纯款＜10ppm，高温不析出金属杂质，避免硅片、光学镜片污染。
优异导电导热 + 低热膨胀，抗热震
快速升降温、脉冲放电无开裂；真空 / 惰性气氛*高使用 2800℃，空气≤600℃需抗氧化涂层。
易五轴精密加工
可加工 0.1mm 薄筋、深微孔、复杂曲面，无毛刺，公差可达 ±0.005mm，适配光学、半导体微型零件。
二、ISEM 全系列型号分级、参数与定位（按颗粒 / 密度 / 精度梯度）
1. ISEM-1（轻质低应力基础细颗粒）
2. ISEM-2（经济型中细颗粒，量产 EDM 主力）
关键参数：密度 1.78g/cm³，颗粒 10μm，肖氏硬度 55，抗折 41MPa，电阻率 11.0μΩ・m
定位：压铸 / 注塑模具粗精加工、中等精度治具性价比款
适用场景：
模具：汽车轮毂模、家电外壳压铸模、大型塑胶型腔电极
工业炉：通用烧结石墨托盘、加热支撑件
通用精密治具：非半导体普通高温工装
优势：放电去除速度快、电极损耗低，量产加工优选
3. ISEM-7（均衡细颗粒，精密模具通用款）
关键参数：密度 1.77~1.78g/cm³，颗粒 8μm，肖氏硬度 62~76，抗折 51~64MPa，电阻率 12.5~15μΩ・m
定位：中塑胶 / 压铸模具、中小型精密治具
适用场景：连接器模具、光学外壳模、中小型镜面 EDM 电极、粉末冶金烧结模具
优势：兼顾切削效率与精加工光洁度，模具行业用量*大 ISEM 牌号
4. ISEM-3（高密度高强度，半导体标准主力）
关键参数：密度 1.85g/cm³，颗粒 7μm，肖氏硬度 60，抗折 49MPa，抗压 103MPa，电阻率 10.0μΩ・m
定位：半导体设备标准用材、光学精密模具核心料
适用场景：
半导体：扩散炉石墨舟、MOCVD 载片台、真空腔体隔热栅、离子注入石墨夹具、晶圆承载盘
光学：透镜模具、光学反射模、精密镜面 EDM 电
高温炉：碳化硅、硬质合金重载烧结发热体
核心优势：高密度低透气、高温蠕变小、低放气，半导体量产线标配
5. ISEM-8（中细高强度，重载高温精密件）
6. ISEM-41C / ISEM-43C（超高密度高导热特种 ISEM）
ISEM-41C：高密度浸渍强化，低电阻率，熔炼坩埚、大功率加热电极
ISEM-43C（旗舰高导热）：密度 2.75g/cm³，电阻率仅 2.2μΩ・m，热导率 187W/m・K，极低热膨胀 5.5×10⁻⁶/K
定位：超高功率加热元件、快速热循环设备、特种熔炼、大功率半导体加热器
适用：MOCVD 大功率发热体、贵金属连续熔炼、脉冲热处理设备
三、三大核心行业选型指南（半导体 / 光学 / 精密治具 / EDM）
（一）半导体设备（晶圆、扩散、MOCVD、离子注入）
标准量产石墨舟、载片台、腔体隔热栅 → ISEM-3（行业标配）
轻量化小型衬套、低温支撑小件 → ISEM-1
大功率加热器、快速热循环腔体 → ISEM-43C
大尺寸承重真空炉内部构件 → ISEM-8
（二）光学模具 & 镜面 EDM
透镜、导光条、精密光学外壳镜面精加工 → ISEM-3
中小型连接器、塑胶光学件中精加工 → ISEM-7
大型光学模具粗加工、型腔开粗 → ISEM-2
（三）精密高温治具 / 烧结工装
小型精密陶瓷、电子元件烧结载具 → ISEM-3
中大型重载烧结托盘、长寿命工装 → ISEM-8
低成本通用实验烧结板 → ISEM-1
（四）模具 EDM 放电加工
粗加工、大型压铸 / 塑胶模：ISEM-2
中精加工、中小型精密模具：ISEM-7
镜面、微型薄壁、光学模具精加工：ISEM-3