一、产品基础定义与核心工艺

通用核心优势（全 IG 系列共有）

1. 超高耐高温：惰性 / 真空环境*高使用 2800℃，2000℃以内强度随温度上升不降；熔点 3850℃，热膨胀系数仅铜 1/30，抗热震强。

2. 各向同性无方向性：加工复杂型腔、薄筋、深孔不变形，放电损耗均匀，热场温场分布均衡。

3. 导电导热均衡：放电加工去除效率高、电极损耗低；高温炉发热体、隔热支架导热稳定。

4. 易精密加工：可铣、磨、钻、线切割，无毛刺，公差可达 ±0.01mm，适配镜面 EDM 精加工。

5. 化学惰性：耐酸碱、熔融金属不浸润，真空下低放气；高纯款灰分≤5ppm，适配光伏、半导体。

6. 自润滑、低摩擦：高温滑动件、模具无润滑工况长期稳定。

二、IG 全系列型号分级（按颗粒 / 密度 / 纯度划分，覆盖 EDM、高温炉、光伏常规工况）

1. 通用经济型（模具 EDM、普通高温炉、工装治具）

IG-15（粗颗粒通用基础款，市场常用标准料）

• 物理参数：密度 1.80g/cm³，颗粒≈20μm，肖氏硬度 42，电阻率 20μΩ・m，抗折 42MPa，热导率 42W/m・K

• 定位：性价比通用主力

• 适用工况：

• EDM：塑胶模、压铸模粗 / 中加工电极、大型型腔电

• 高温炉：真空炉隔热板、载料台、通用石墨支架、烧结工装

• 光伏辅助件：普通石墨导流板、承载框（非长晶核心热场）

• 优势：价格适中、料坯规格齐全、易切削，损耗适中

IG-45（中颗粒高密度通用款，光伏标准热场主力）

• 物理参数：密度 1.86g/cm³，颗粒 7μm，高强度高致密，低孔隙低放气

• 定位：光伏晶硅热场标准用材、中精加工 EDM

• 适用工况：

• 光伏：单 / 多晶铸锭炉石墨坩埚、热屏、石墨舟、加热器支撑、保温筒

• 高温炉：碳化烧结、金属热处理炉发热体、承重结构件

• EDM：精密模具中精加工、中小型镜面电极

• 优势：致密低透气、高温蠕变小、使用寿命长，光伏行业通用标配

2. 细颗粒精密级（镜面 EDM、高精度热场、高纯热处理）

IG-12（细颗粒通用精密料，模具精加工）

• 物理参数：密度 1.82g/cm³，颗粒 12μm，肖氏硬度 80，抗压 172MPa，抗折 73MPa

• 定位：精密 EDM、小型高温精密炉

• 适用工况：

• EDM：汽车模具、光学模、精密连接器镜面精加工，低电极损耗

• 高温设备：小型实验炉、石英烧结、贵金属熔炼坩埚

• 半导体辅助载具、小型真空密封石墨件

• 优势：表面放电纹路细腻，加工光洁度高，强度高不易崩角

IG-11（超细颗粒高纯通用款，实验室 / 精密热处理）

• 物理参数：密度 1.77g/cm³，颗粒 8μm，灰分低、纯度优于 IG12/15，抗折 39MPa

• 定位：高纯精密工况、微量元素管控热处理

• 适用工况：实验室管式炉、陶瓷烧结、小型精密 EDM 电极、光学模具

• 优势：杂质少，高温不析出金属杂质，避免工件污染

3. 超高纯特种 IG 系列（光伏长晶、半导体、高温气冷堆，特种工况）

IG-110（超高纯核级等静压石墨，单晶炉核心热场）

• 物理参数：灰分≤5ppm，极低微量元素（Fe/Ni/Cu＜1ppm），热稳定性、中子辐照稳定性全球认证

• 适用工况：

• 光伏：直拉单晶硅 CZ 炉热屏、加热器、坩埚托、导流筒（ 182/210 硅片长晶）

• 半导体：扩散炉、MOCVD 石墨舟、离子注入载具

• 特种高温：高温气冷堆炉体结构件（全球商用核级 IG 石墨）

• 核心优势：极低杂质，杜绝硅片氧含量超标、少子寿命衰减，长晶良率大幅提升

IG-430/IG-430U（下一代高密度高纯 IG）

三、三大主流应用工况分型号选型指南

（一）EDM 放电加工（模具行业）

1. 粗加工、大型型腔、预算优先 → IG-15

2. 中精加工、汽车 / 压铸模具、中小型镜面 → IG-45 / IG-12

3. 超精密光学模、微小薄壁电极、低损耗镜面放电 → IG-11

（二）真空 / 气氛高温炉（热处理、粉末冶金、陶瓷烧结）

1. 通用载台、隔热板、简易工装、低温烧结（≤1600℃）→ IG-15

2. 承重发热体、碳化硅 / 硬质合金烧结、长期 1800℃工况 → IG-45

3. 高纯无杂质要求、贵金属 / 电子陶瓷烧结 → IG-11 / IG-110

（三）光伏晶硅常规工况（行业通用标准选型）

1. 铸锭炉坩埚、热屏、石墨舟、保温结构（通用量产线）→ IG-45（行业标配）

2. 直拉单晶硅 CZ 炉核心热场（加热器、导流筒、籽晶夹）→ IG-110

3. 光伏辅助小件、导流板、简易承载框、低成本辅件 → IG-15