日本Osaka Vacuum大阪真空（TG Kine）系列日本Osaka Vacuum大阪真空（TG Kine）系列
TGkine‑B（一体化）：泵体 + 控制器 / 电源集成，省空间、免机架，适合设备集成与量产线。
TGkine‑R（分离式）：泵体与控制器分离，泵内置运行数据记忆，更换控制器不丢数据，适合大型设备与长周期工况。
定位：替代传统 TG‑M 的下一代大抽速磁悬浮分子泵，为大阪真空商用*高规格，适配 ** 超大腔体、高流量、超高真空（UHV）** 需求。
主流型号：TGkine1700/2200/3300/3400/3800/4200M‑B/R。
五轴磁悬浮 + 无油：转子无接触悬浮，零磨损、低振动（≤0.1 μm）、低噪音（≤55 dB），适配洁净 / 超高真空制程。
一体化设计（B 系列）：控制器 / 电源集成于泵体，节省 50% 空间，无需高压电缆与机架，简化安装与维护。
超大抽速 + 高流量：抽速 1700–4200 L/s（N₂），极限真空 < 2×10⁻⁷ Pa，N₂*大流量4400 sccm，适配高负载连续运行。
长寿命 + 高可靠：无机械接触，设计寿命 > 10 万小时；任意姿态安装（垂直 / 水平 / 倒置），抗振动与冲击。
智能控制 + 工业合规：标配RS232C，可选EtherCAT；支持低速模式；符合CE/NRTL/SEMI‑S2，适配半导体产线。
共同参数：启动≤10 min；停止≤10 min；入口法兰ISO‑B250/CF250；排气口KF40。
TGkine‑O：耐腐蚀性气体，适配刻蚀 / 沉积含氟 / 氯制程。
TGkine‑MI：防生成物堆积，自加热结构减少副产物附着。
TGkine‑ML：极低振动，适配光刻、表面分析（XPS/SEM）等超精密制程。
半导体：刻蚀、PVD/CVD、离子注入、大尺寸晶圆腔排气。
平板 / 光伏：LCD/OLED、太阳能电池、玻璃 / 光学镜片镀膜。
科研 / 高能物理：同步辐射、加速器、核聚变装置、空间模拟器。
工业真空：大型镀膜线、真空蒸馏、冷冻干燥、高流量检漏设备。