日本Osaka Vacuum大阪真空 TG‑M系列日本Osaka Vacuum大阪真空 TG‑M系列
Osaka Vacuum（大阪真空）TG‑M 系列是5 轴主动磁悬浮轴承涡轮分子泵，无油、低振动、长寿命，抽速覆盖340–2400 L/s，主打超高真空、洁净制程、半导体 / 科研级应用。 一、型号与定位
系列：TG‑M（Magnetic Levitated，磁悬浮）
定位：无油超高真空主力泵，适配半导体刻蚀 / 沉积、分析仪器、镀膜、高能物理等场景。
主流型号：TG390M / TG420M / TG900M / TG1300M / TG2400M。
磁悬浮五轴控制：转子无接触悬浮，无油，零磨损、低振动（≤0.1 μm）、低噪音（≤55 dB）。
任意安装姿态：可垂直、水平、倒置，适配复杂腔体与移动设备。
超长免维护寿命：无机械接触，设计寿命 > 10 万小时，维护周期 2–3 万小时，大幅降低运维成本。
高抽速 + 高压缩比：抽速 340–2400 L/s（N₂），极限真空 < 1×10⁻⁶ Pa，N₂压缩比1×10⁸，适配轻气体（H₂/He）高效排气。
智能控制 + 工业合规：标配RS232C，可选EtherCAT；符合SEMI‑S2/CE/NRTL，适配半导体产线。
共同参数：启停时间 2–5 min；入口法兰 VG/ISO‑B/CF；排气口 KF40；控制器 TC010MA/MB。
TG‑ML：极低振动型，适配 ** 光刻、表面分析（XPS/SEM）** 等超精密制程。
TG‑MU：超高真空型，H₂压缩比达6×10⁴，极限真空 **<1×10⁻⁹ Pa**。
TG‑MI：防生成物堆积型，自加热结构，减少制程副产物附着，适配沉积 / 刻蚀制程。
TG‑MR：耐辐射型，适配加速器、核聚变装置等强辐射环境。
半导体：刻蚀、PVD/CVD、离子注入、电子枪排气、晶圆真空吸附。
科研仪器：表面分析（XPS/SEM）、质谱仪、同步辐射、电子显微镜。
工业真空：镀膜、真空蒸馏、冷冻干燥、检漏设备、移动真空系统