Otsuka大塚电子的晶圆膜厚仪采用分光干涉法进行非接触、无损测量，适用于硅晶圆、玻璃基板等材料的厚度检测，具备高精度、实时监测等特点。 ‌

核心参数

• ‌测量范围‌：硅晶圆厚度可测6-1300μm（不同型号覆盖6-400μm至50-1300μm），树脂薄膜10-2600μm；
• ‌精度‌：重复精度达0.01%；
• ‌采样频率‌：*高5 kHz（200μs采样周期）；
• ‌光源‌：半导体激光光源；
• ‌工作距离‌：支持50-200mm调节，适合集成到产线设备中。 ‌

功能特点

1. ‌实时监测‌：适用于研磨抛光过程厚度监控，支持多层结构测量；
2. ‌强酸环境适用‌：可测量玻璃基板在强酸减薄工艺中的厚度变化；
3. ‌高速检测‌：*快5 kHz采样频率，满足半导体制造的实时性要求；
4. ‌微区测量‌：*小光斑直径20μm，适配微纳结构检测。 ‌

型号选择

• ‌SF系列‌（如SF-3/200）：适用于硅晶圆及化合物晶片，测量范围6-400μm；
• ‌OPTM系列‌：支持深紫外至近红外波段，光斑可细至3μm，适合半导体芯片微区测量；
• ‌GS系列‌（如GS-300）：专用于晶圆厚度解析。 ‌